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AFOX DDR4 2133 UDIMM Speichermodul GB (1 x 8GB, 2133 MHz, DDR4-RAM, DI...

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AFOX DDR4 2133 UDIMM Speichermodul GB (1 x 8GB, 2133 MHz, DDR4-RAM, DIMM), RAM

Das DDR4 2133 UDIMM Speichermodul von AFOX bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Lösung für PC- und Serveranwendungen. Mit einer Speicherkapazität von 8 GB und einer Taktfrequenz von 2133 MHz ist dieses Modul ideal für Benutzer, die eine verbesserte Systemleistung und Multitasking-Fähigkeiten benötigen. Das unbuffered Design sorgt für eine direkte Verbindung zwischen dem RAM und der CPU, was die Reaktionsgeschwindigkeit erhöht und die Effizienz steigert. Das Modul erfüllt die JEDEC-Standards und ist mit Intel® H110 Chipsätzen kompatibel, was es zu einer vielseitigen Wahl für verschiedene Systeme macht. Die Betriebsbedingungen sind für eine Vielzahl von Umgebungen geeignet, mit Betriebstemperaturen von 0 bis 85 °C und Lagertemperaturen von -55 bis 100 °C. Das AFOX DDR4 2133 UDIMM Speichermodul ist somit eine ausgezeichnete Wahl für alle, die Wert auf Leistung und Zuverlässigkeit legen. - Zuverlässige 8 GB Speicherkapazität für verbesserte Systemleistung - Taktfrequenz von 2133 MHz für schnelle Datenverarbeitung - Unbuffered Design für direkte Verbindung zur CPU - Kompatibel mit Intel® H110 Chipsätzen - Erfüllt JEDEC-Standards für hohe Qualität und Leistung.

Preis unverändert seit 29.10.2026

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Technische Daten

Produktname AFOX DDR4 2133 UDIMM Speichermodul GB (1 x 8GB, 2133 MHz, DDR4-RAM, DI...
Marke AFOX
EAN 4897033783521

Nachhaltigkeit

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Konformitätsbescheinigungen RoHS

Gewicht und Abmessungen

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Breite 133 mm
Höhe 31 mm
Gewicht 18 g

Sonstige Funktionen

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Zertifizierung CE
Ursprungsland China
Chiporganisation x8 FBGA DRAM chip

Verpackungsdaten

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Verpackungshöhe 168 mm
Paketgewicht 36 g
Verpackungsbreite 88 mm

Betriebsbedingungen

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Temperaturbereich bei Lagerung -55 - 100 °C
Betriebstemperatur 0 - 85 °C

Merkmale

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JEDEC-Standard Ja
ECC Nein
Row Active Time 33 ns
Speicherkapazität 8 GB
Speicherkanäle Zweikanalig
Komponente für PC / Server
Refresh Row Cycle Time 260 ns
Speicherlayout (Module x Größe) 1 x 8 GB
Speicherspannung 1.2 V
Speicherbandbreite (max.) 17 GB/s
CAS Latenz 15
Interner Speichertyp DDR4
Kompatible chipsets Intel® H110
Speichertaktfrequenz 2133 MHz
Row Cycle Time 46, 5 ns
Gepufferter Speichertyp Unregistered (unbuffered)
Programmierversorgungsspannung (VPP) 2, 5 V
Memory Formfaktor 288-pin DIMM

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