PNY Notebook memory Performance, SODIMM, DDR4, 16 GB, 3200 MHz, CL22 (...
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Angebot (Neuware)
PNY Notebook memory Performance, SODIMM, DDR4, 16 GB, 3200 MHz, CL22 (MN16GSD43200-TB) (1 x 16GB, 3200 MHz, DDR4-RAM, SO-DIMM), RAM
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PNY Performance DDR4 Speicher-Modul - 16 GB SO DIMM 260-PIN - 3200 MHz PC4-25600 - CL22 - 1,2 V - Unbuffered - Non-ECC. Produkttyp: Speicher-Modul Kapazität: 16 GB Speicherart: DDR4 SDRAM - SO DIMM 260-PIN Erweiterungstyp: Generisch Datenintegritätsprüfung: Non-ECC Geschwindigkeit: 3200 MHz (PC4-25600) Latenz: CL22 Leistungsmerkmale: Unbuffered Spannung: 1,2 V Allgemeine Details: Kapazität: 16 GB Erweiterungstyp: Generisch Speicherart: DRAM Speicher-Modul-Technologie: DDR4 SDRAM Formfaktor: SO DIMM 260-PIN Geschwindigkeit: 3200 MHz (PC4-25600) Latenzen: CL22 Datenintegritätsprüfung: Non-ECC Merkmale: Unbuffered Spannung: 1,2 V.
Preis unverändert seit 29.10.2026
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| Produktname | PNY Notebook memory Performance, SODIMM, DDR4, 16 GB, 3200 MHz, CL22 (... |
| Marke | PNY |
| EAN | 0751492658940 |
Logistikdaten
| Warentarifnummer (HS) | 84733020 |
Verpackungsdaten
| Verpackungsart | Sichtverpackung |
Merkmale
| Speicherkapazität | 16 GB |
| ECC | Nein |
| Speichertaktfrequenz | 3200 MHz |
| Speicherlayout (Module x Größe) | 1 x 16 GB |
| Interner Speichertyp | DDR4 |
| Memory Formfaktor | 260-pin SO-DIMM |
| Speicherspannung | 1.2 V |
| Speicherkanäle | Einfach-Kanal |
| CAS Latenz | 22 |
| Komponente für | Laptop |
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