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PNY Notebook memory Performance, SODIMM, DDR4, 16 GB, 3200 MHz, CL22 (...

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PNY Notebook memory Performance, SODIMM, DDR4, 16 GB, 3200 MHz, CL22 (MN16GSD43200-TB) (1 x 16GB, 3200 MHz, DDR4-RAM, SO-DIMM), RAM

PNY Performance DDR4 Speicher-Modul - 16 GB SO DIMM 260-PIN - 3200 MHz PC4-25600 - CL22 - 1,2 V - Unbuffered - Non-ECC. Produkttyp: Speicher-Modul Kapazität: 16 GB Speicherart: DDR4 SDRAM - SO DIMM 260-PIN Erweiterungstyp: Generisch Datenintegritätsprüfung: Non-ECC Geschwindigkeit: 3200 MHz (PC4-25600) Latenz: CL22 Leistungsmerkmale: Unbuffered Spannung: 1,2 V Allgemeine Details: Kapazität: 16 GB Erweiterungstyp: Generisch Speicherart: DRAM Speicher-Modul-Technologie: DDR4 SDRAM Formfaktor: SO DIMM 260-PIN Geschwindigkeit: 3200 MHz (PC4-25600) Latenzen: CL22 Datenintegritätsprüfung: Non-ECC Merkmale: Unbuffered Spannung: 1,2 V.

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Technische Daten

Produktname PNY Notebook memory Performance, SODIMM, DDR4, 16 GB, 3200 MHz, CL22 (...
Marke PNY
EAN 0751492658940

Logistikdaten

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Warentarifnummer (HS) 84733020

Verpackungsdaten

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Verpackungsart Sichtverpackung

Merkmale

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Speicherkapazität 16 GB
ECC Nein
Speichertaktfrequenz 3200 MHz
Speicherlayout (Module x Größe) 1 x 16 GB
Interner Speichertyp DDR4
Memory Formfaktor 260-pin SO-DIMM
Speicherspannung 1.2 V
Speicherkanäle Einfach-Kanal
CAS Latenz 22
Komponente für Laptop

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